N-typ M12 monokristallin kiselskiva specifikation

N-typ M12 monokristallin kiselskiva specifikation

N-typen M12 monokristallin kiselskiva antar en stor pseudo-kvadrat 210 × 210 mm-format (φ295 mm diameter), vilket ökar det aktiva området och ökar effektutgången för högeffektiv PV-moduler. Odlat med CZ -metoden och dopad med fosfor, den har en<100>Ytorientering, låg dislokationstäthet (mindre än eller lika med 500 cm⁻²) och konduktivitet av typ. Med ett resistivitetsområde på 1,0–7,0 Ω · cm och minoritetsbärarens livslängd större än eller lika med 1000 μs är det idealiskt för avancerad solcellsteknik som TOPCON och HJT. M12-skivans optimerade geometri och ytkvalitet säkerställer utmärkt prestanda i nästa generations högeffektmoduler.
Share to
Skicka förfrågan
chatta nu
Beskrivning
Tekniska parametrar

CZ silicon crystal growth

n-type-full-square-monocrystalline-solar47199107070 1

 

N-typen M12 monokristallin kiselskiva antar en stor pseudo-kvadrat 210 × 210 mm-format (φ295 mm diameter), vilket ökar det aktiva området och ökar effektutgången för högeffektiv PV-moduler. Odlat med CZ -metoden och dopad med fosfor, den har en<100>Ytorientering, låg dislokationstäthet (mindre än eller lika med 500 cm⁻²) och konduktivitet av typ. Med ett resistivitetsområde på 1,0–7,0 Ω · cm och minoritetsbärarens livslängd större än eller lika med 1000 μs är det idealiskt för avancerad solcellsteknik som TOPCON och HJT. M12-skivans optimerade geometri och ytkvalitet säkerställer utmärkt prestanda i nästa generations högeffektmoduler.

 

 

1. Materialegenskaper

 

Egendom

Specifikation

Inspektionsmetod

Tillväxtmetod

Cz

 

Kristallinitet

Monokristallin

Förmåns etsningstekniker(ASTM F47-88)

Konduktivitet

N-typ

Napson EC-80TPN

Dopande

Fosfor

-

Syrekoncentration [OI]

Mindre än eller lika med8e +17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Kolkoncentration [CS]

Mindre än eller lika med5e +16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Etsgropdensitet (dislokationstäthet)

Mindre än eller lika med500 cm-2

Förmåns etsningstekniker(ASTM F47-88)

Ytorientering

<100>± 3 grader

Röntgendiffraktionsmetod (ASTM F26-1987)

Orientering av pseudo fyrkantiga sidor

<010>,<001>± 3 grader

Röntgendiffraktionsmetod (ASTM F26-1987)

 

2. Elektriska egenskaper

 

Egendom

Specifikation

Inspektionsmetod

Resistivitet

1.0-7.0 Ω.cm

Skivinspektionssystem

Mclt (minoritetsbärare livstid)

Större än eller lika med 1000 μs
Sinton BCT-400
Övergående
(med injektionsnivå: 5e14 cm-3)

 

3.Geometri

 

Egendom

Specifikation

Inspektionsmetod

Geometri

pseudo

 
Avfasningsform
runda  

Wafer sidlängd

210 ± 0,25 mm

skivinspektionssystem

Skivdiameter

φ295 ± 0,25 mm

skivinspektionssystem

Vinkel mellan angränsande sidor

90 grader ± 0,2 grad

skivinspektionssystem

Tjocklek

180 ﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
165﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 10/﹣10 µm
skivinspektionssystem

TTV (total tjockleksvariation)

Mindre än eller lika med 27 µm

skivinspektionssystem

 

N-Type M12 Monocrystalline Silicon Wafer Specification1

 

4.Ytegenskaper

 

Egendom

Specifikation

Inspektionsmetod

Skärmetod

Dj

--

Ytkvalitet

När det är klippt och rengjort, är ingen synlig förorening, (olja eller fett, fingeravtryck, tvålfläckar, uppslamningsfläckar, epoxi/limfläckar inte tillåtna)

skivinspektionssystem

Sågmärken / steg

Mindre än eller lika med 15 um

skivinspektionssystem

Rosett

Mindre än eller lika med 40 um

skivinspektionssystem

Varp

Mindre än eller lika med 40 um

skivinspektionssystem

Chips

djup mindre än eller lika med 0,3 mm och längd mindre än eller lika med 0,5 mm max 2/st; Inget V-chip

Nakna ögon eller skivinspektionssystem

Mikrosprickor / hål

Inte tillåtet

skivinspektionssystem

 

 

 

 

Populära Taggar: N-typ M12 Monokristallin kiselskiva specifikation, Kina, leverantörer, tillverkare, fabrik, tillverkad i Kina

Skicka förfrågan
Skicka förfrågan