N-typ M2 monokristallin kiselskiva specifikation

N-typ M2 monokristallin kiselskiva specifikation

N-typen M2-monokristallin kiselskiva har en kvasi-kvadrat 156,75 × 156,75 mm design med rundade hörn, balanserar kompatibilitet med standardmodullayouter och optimerad ljusfångst. Tillverkad med CZ -metoden och fosfordoping erbjuder den hög materiell renhet,<100>Orientering och låg dislokationstäthet (mindre än eller lika med 500 cm⁻²). Med konduktivitet av n-typ, ett brett resistivitetsintervall (0,2–12 Ω · cm) och hög minoritetsbärare livstid (större än eller lika med 1000 μs), stöder den högeffektiv cellteknologi som TOPCON och HJT. M2 -skivan är fortfarande ett beprövat och tillförlitligt format för stabil prestanda i mainstream PV -applikationer.
Share to
Skicka förfrågan
chatta nu
Beskrivning
Tekniska parametrar

CZ silicon crystal growth

 

p-type-182mm-monocrystalline-solar-wafer12427330843

 

N-typen M2-monokristallin kiselskiva har en kvasi-kvadrat 156,75 × 156,75 mm design med rundade hörn, balanserar kompatibilitet med standardmodullayouter och optimerad ljusfångst. Tillverkad med CZ -metoden och fosfordoping erbjuder den hög materiell renhet,<100>Orientering och låg dislokationstäthet (mindre än eller lika med 500 cm⁻²). Med konduktivitet av n-typ, ett brett resistivitetsintervall (0,2–12 Ω · cm) och hög minoritetsbärare livstid (större än eller lika med 1000 μs), stöder den högeffektiv cellteknologi som TOPCON och HJT. M2 -skivan är fortfarande ett beprövat och tillförlitligt format för stabil prestanda i mainstream PV -applikationer.

 

1. Materialegenskaper

 

Egendom

Specifikation

Inspektionsmetod

Tillväxtmetod

Cz

 

Kristallinitet

Monokristallin

Förmåns etsningstekniker(ASTM F47-88)

Konduktivitet

N-typ

Napson EC-80TPN

Dopande

Fosfor

-

Syrekoncentration [OI]

Mindre än eller lika med8e +17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Kolkoncentration [CS]

Mindre än eller lika med5e +16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Etsgropdensitet (dislokationstäthet)

Mindre än eller lika med500 cm-2

Förmåns etsningstekniker(ASTM F47-88)

Ytorientering

<100>± 3 grader

Röntgendiffraktionsmetod (ASTM F26-1987)

Orientering av pseudo fyrkantiga sidor

<010>,<001>± 3 grader

Röntgendiffraktionsmetod (ASTM F26-1987)

 

2. Elektriska egenskaper

 

Egendom

Specifikation

Inspektionsmetod

Resistivitet

0,2-2,0 Ω.cm
0,5-3,5 Ω.cm
1.0-7.0 Ω.cm
1,5-12 Ω.cm
4-sondresistivitet
mätning

Mclt (minoritetsbärare livstid)

Större än eller lika med 1000 μs (resistivitet > 1,0 Ω.cm)
Större än eller lika med 500 μs (resistivitet < 1,0 Ω.cm
Sinton BCT-400
Övergående
(med injektionsnivå: 5e14 cm-3)

 

3.Geometri

 

Egendom

Specifikation

Inspektionsmetod

Geometri

kvasi
Trist bromsel
Diameter
210 ± 0,25 mm
Trist bromsel
Platt till platt
156,75 ± 0,25 mm
Trist bromsel
Hörnlängd
8,5 ± 0,5 mm
Bredtäte/linjal
Vinkelrätt

90 grader ± 0,2 grad

Linjeledare
Hörnform
Rund form
Visuell inspektion
Perpendikulär
Mindre än eller lika med 0,8 mm
 

TTV (total tjockleksvariation)

Mindre än eller lika med 27 µm

skivinspektionssystem

 

image 31

 

4.Ytegenskaper

 

Egendom

Specifikation

Inspektionsmetod

Ytkvalitet
Fläck, olja, repa, spricka, grop, stöt,
Pinhole och tvillingdefekt är inte
tillåten
Visuell inspektion
Chips
Ytchip är inte tillåtet;
Arris: Chips är inkonsekvent:
Mindre än 10 på Arris, dia mindre än eller lika med 0,3 mm;
Linjal
Ytlig
Planyta: RA mindre än eller lika med 0,6um;
Cambered yta: RA mindre än eller lika med 1.0um
Ytstruka mätare

 

 

 

 

Populära Taggar: N-typ M2 Monokristallin kiselskiva specifikation, Kina, leverantörer, tillverkare, fabrik, tillverkad i Kina

Skicka förfrågan
Skicka förfrågan