N-typ G1-monokristallin kiselskiva specifikation

N-typ G1-monokristallin kiselskiva specifikation

N-typen G1-monokristallin kiselskiva har en hel kvadrat 158,75 × 158,75 mm design, vilket maximerar lätt exponering och moduleffektivitet. Tillverkad med CZ -metoden med fosfordoping erbjuder den utmärkt materialkvalitet, låg dislokationstäthet (mindre än eller lika med 500 cm⁻²), och<100>Crystal Orientation. Med konduktivitet av n-typ, ett resistivitetsområde på 0,5–7 Ω · cm och bärarens livslängd upp till större än eller lika med 1000 μs, är den väl lämpad för högeffektiv cellteknik som TOPCON och HJT. Dess fulla fyrkantiga form och snäva geometriska toleranser säkerställer optimal modulintegration och prestanda.
Share to
Skicka förfrågan
chatta nu
Beskrivning
Tekniska parametrar

CZ silicon crystal growth

 

158.75mm full square monocrystalline solar wafer

 

N-typen G1-monokristallin kiselskiva har en hel kvadrat 158,75 × 158,75 mm design, vilket maximerar lätt exponering och moduleffektivitet. Tillverkad med CZ -metoden med fosfordoping erbjuder den utmärkt materialkvalitet, låg dislokationstäthet (mindre än eller lika med 500 cm⁻²), och<100>Crystal Orientation. Med konduktivitet av n-typ, ett resistivitetsområde på 0,5–7 Ω · cm och bärarens livslängd upp till större än eller lika med 1000 μs, är den väl lämpad för högeffektiv cellteknik som TOPCON och HJT. Dess fulla fyrkantiga form och snäva geometriska toleranser säkerställer optimal modulintegration och prestanda.

 

 

1. Materialegenskaper

 

Egendom

Specifikation

Inspektionsmetod

Tillväxtmetod

Cz

 

Kristallinitet

Monokristallin

Förmåns etsningstekniker(ASTM F47-88)

Konduktivitet

N-typ

Napson EC-80TPN

Dopande

Fosfor

-

Syrekoncentration [OI]

Mindre än eller lika med8e +17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Kolkoncentration [CS]

Mindre än eller lika med5e +16 at/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Etsgropdensitet (dislokationstäthet)

Mindre än eller lika med500 cm-2

Förmåns etsningstekniker(ASTM F47-88)

Ytorientering

<100>± 3 grader

Röntgendiffraktionsmetod (ASTM F26-1987)

Orientering av pseudo fyrkantiga sidor

<010>,<001>± 3 grader

Röntgendiffraktionsmetod (ASTM F26-1987)

 

2. Elektriska egenskaper

 

Egendom

Specifikation

Inspektionsmetod

Resistivitet

1.0-7.0 Ω.cm

Skivinspektionssystem

Mclt (minoritetsbärare livstid)

Större än eller lika med 1000 μs (resistivitet > 1.0Ohm.cm)
Större än eller lika med 500 μs (resistivitet < 1.0Ohm.cm)
Sinton BCT-400
QSSPC/transient
(med injektionsnivå: 1E15 cm -3)

 

3.Geometri

 

Egendom

Specifikation

Inspektionsmetod

Geometri

pseudo

 
Avfasningsform
runda  

Wafer sidlängd

182 ± 0,25 mm

skivinspektionssystem

Skivdiameter

φ247 ± 0,25 mm

skivinspektionssystem

Vinkel mellan angränsande sidor

90 grader ± 0,2 grad

skivinspektionssystem

Tjocklek

180﹢ 20/﹣10 µm
175﹢ 20/﹣10 µm
170﹢ 20/﹣10 µm
160﹢ 20/﹣10 µm
150﹢ 20/﹣10 µm
skivinspektionssystem

TTV (total tjockleksvariation)

Mindre än eller lika med 27 µm

skivinspektionssystem

 

image 29

 

4.Ytegenskaper

 

Egendom

Specifikation

Inspektionsmetod

Skärmetod

Dj

--

Ytkvalitet

När det är klippt och rengjort, är ingen synlig förorening, (olja eller fett, fingeravtryck, tvålfläckar, uppslamningsfläckar, epoxi/limfläckar inte tillåtna)

skivinspektionssystem

Sågmärken / steg

Mindre än eller lika med 15 um

skivinspektionssystem

Rosett

Mindre än eller lika med 40 um

skivinspektionssystem

Varp

Mindre än eller lika med 40 um

skivinspektionssystem

Chips

djup mindre än eller lika med 0,3 mm och längd mindre än eller lika med 0,5 mm max 2/st; Inget V-chip

Nakna ögon eller skivinspektionssystem

Mikrosprickor / hål

Inte tillåtet

skivinspektionssystem

 

 

 

 

Populära Taggar: N-typ G1 Monokristallin kiselskiva specifikation, Kina, leverantörer, tillverkare, fabrik, tillverkad i Kina

Skicka förfrågan
Skicka förfrågan