Produktintroduktion
Halv-isolerande SiC-substrat erbjuder hög resistivitet och utmärkta termiska egenskaper, vilket gör dem lämpliga för GaN heteroepitaxiella tillväxt och hög-RF-halvledartillämpningar. Som en hög-prestandaSiC-substrat, används det ofta för HEMT-baserade enheter i avancerade kommunikationssystem, inklusive 5G-infrastruktur.
Dessa halv-isolerandeSiC-skivorger också utmärkta optiska och materialegenskaper, stöder nya applikationer inom optoelektronik och bärbar elektronik. 12-tum SiC-substrat erbjuder potential för nästa-applikationer som AR-glasögon och andra avancerade optiska enheter.
Specifikationer
| 6 tum | |
|---|---|
| Diameter | 150,0 mm+0mm/-0,2 mm |
| Ytorientering | {0001}±0,2 grader |
| Primär platt orientering | / |
| Sekundär platt orientering | / |
| Primär platt längd | Hack |
| Sekundär platt längd | Ingen |
| Notch Orientering | <1100>±1,0 grader |
| Naggdjup | Ingen1mm+0.25mm/-0mm från kanten |
| Naggvinkel | 90 grader +5 grad /-1 grad |
| Tjocklek | 500,0um±25,0um |
| Typ | Halv-isolerande |
| 8 tum | |
|---|---|
| Diameter | 200,0 mm+0mm/-0,5 mm |
| Ytorientering | {0001}±0,2 grader |
| Primär platt orientering | / |
| Sekundär platt orientering | / |
| Primär platt längd | Hack |
| Sekundär platt längd | Ingen |
| Notch Orientering | <1100>±1,0 grader |
| Naggdjup | Ingen1mm+0.25mm/-0mm från kanten |
| Naggvinkel | 90 grader +5 grad /-1 grad |
| Tjocklek | 500,0um±25,0um |
| Typ | Halv-isolerande |
| 12 tum | |
|---|---|
| Diameter | 300,0 mm+0mm/-0,5 mm |
| Ytorientering | {0001}±0,5 grader |
| Primär platt orientering | / |
| Sekundär platt orientering | / |
| Primär platt längd | Hack |
| Sekundär platt längd | Ingen |
| Notch Orientering | <1100>±5,0 grader |
| Naggdjup | Ingen1mm+0.25mm/-0mm från kanten |
| Naggvinkel | 90 grader +5 grad /-1 grad |
| Tjocklek | 750.0um±25.0um |
| Typ | Halv-isolerande |
Certifikat
Populära Taggar: 4H Semi-Isolerande SiC-skiva, Kina, leverantörer, tillverkare, fabrik, tillverkad i Kina
