Silicon Wafer

P-typ SiC-substrat är designade för homoepitaxiell tillväxt och utveckling av ultra-hög-effekthalvledarenheter. Med utmärkta elektriska och termiska egenskaper är det här högpresterande

Halv-isolerande SiC-substrat erbjuder hög resistivitet och utmärkta termiska egenskaper, vilket gör dem lämpliga för GaN heteroepitaxiella tillväxt och hög-RF-halvledartillämpningar. Som ett

SiC-substrat av N-typ är konstruerade för homoepitaxiell tillväxt vid avancerad tillverkning av krafthalvledare. Med överlägsen elektrisk och termisk prestanda är detta högpresterande SiC-substrat