P-typ M4 monokristallin solskiva

Tillväxtmetod

CZ

Kristallinitet

Monokristallin

Föredragna etsningstekniker（ASTM F47-88）

Konduktivitetstyp

P-typ

Napson EC-80TPN

P/N

Dopant

Bor, Gallium

-

Syrekoncentration [Oi]

≦8E+17 vid / cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Kolkoncentration [Cs]

≦5E+16 vid / cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Etsgropdensitet (dislokationstäthet)

≦500 cm^-3

Föredragna etsningstekniker（ASTM F47-88）

Ytorientering

& lt; 100> ± 3 °

Röntgendiffraktionsmetod (ASTM F26-1987)

Orientering av pseudo fyrkantiga sidor

& lt; 010>,< 001=""> ± 3 °

Röntgendiffraktionsmetod (ASTM F26-1987)

Motstånd

0,5-1,5 Ωcm

System för inspektion av skivor

MCLT (livslängd för minoritetsföretag)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(med injektionsnivå: 1E15 centimeter^-3)

Geometri

Kvasi fyrkant

Wafer Sidolängd

161,7 ± 0,25 mm

waferinspektionssystem

Wafer Diameter

φ221 ± 0,25 mm

waferinspektionssystem

Vinkel mellan intilliggande sidor

90° ± 0.2°

waferinspektionssystem

Tjocklek

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

TTV (Total tjockleksvariation)

≤27 µm

waferinspektionssystem

Skärmetod

DW

--

Ytkvalitet

som klippt och rengjort, ingen synlig förorening, (olja eller fett, fingeravtryck, tvålfläckar, slamfläckar, epoxi- / limfläckar är inte tillåtna)

waferinspektionssystem

Sågmärken / steg

≤ 15µm

waferinspektionssystem

Rosett

≤ 40 µm

waferinspektionssystem

Varp

≤ 40 µm

waferinspektionssystem

Chip

djup ≤0,3 mm och längd ≤ 0,5 mm Max 2 / st; inget V-chip

Nakna ögon eller waferinspektionssystem

Micro sprickor / hål

Inte tillåtet

waferinspektionssystem