Källa: medium.com
HJT är förkortningen för hetero-junction solceller. HJT, som introducerades av det japanska företaget Sanyo på 1980-talet och sedan förvärvades av Panasonic under 2010-talet, anses vara en potentiell efterträdare till den populäraPERCsolar-cellen i skrivande stund, förutom andra tekniker som PERTandTOPCON.
På grund av HJTs färre antal cellbehandlingssteg och en mycket lägre cellbehandlingstemperatur har denna arkitektur potential att förenkla de nuvarande produktionslinjerna för solceller som för närvarande är starkt baserade på PERC-teknik.
Som visas i figur 1 är HJT väldigt annorlunda än den populära PERC-strukturen. Som ett resultat är tillverkningsprocesserna mellan dessa två arkitekturer mycket olika. Jämfört med n-PERT eller TOPCON, som kan uppgraderas från nuvarande PERC-linjer, kräver HJT betydande kapitalinvesteringar i ny utrustning för att starta massproduktioner.
Dessutom, som med många nya tekniker, är HJTs långsiktiga drift / tillverkningsstabilitet fortfarande under granskning. Detta beror på processutmaningar som amorft Si mottaglighet för högtemperaturprocesser.
HJT visar hög solcellseffektivitet tack vare den högkvalitativa hydrerade inneboende amorfa Si (a-Si: H i figur 1) som kan ge imponerande defektpassivering till både den främre och bakre ytan av Si-skivor (både n-typ och p-typ polaritet).
Användningen av ITO som genomskinliga kontakter förbättrar också strömflödena samtidigt som det motverkar antireflexionsskiktet för att ge optimal ljusfångst. Dessutom kan ITO också deponeras via förstoftning vid låg temperatur, vilket undviker omkristallisationen av det amorfa skiktet som kommer att påverka materialets passiveringskvalitet på den stora Si-ytan.
Trots sina processutmaningar och stora kapitalinvesteringar är HJT fortfarande en attraktiv teknik. Denna teknik visar förmågan att uppnå> 23% solcellseffektivitet, jämfört med ~ 22% som visas av TOPCON, PERT och PERC-teknologier.
