Galliumdoping är en metod för att förhindra ljusinducerad nedbrytning (LID), särskilt i PERC-celler. Användning av Ga-dopade kiselskivor för solcellstillämpning resulterar definitivt i bättre prestanda för solceller och solcellsmoduler, samt förbättring av deras långa term tillförlitlighet.
Schematisk bild av PERC solcell
Enligt pressmeddelandet har Shin-Etsu Chemical flera patent på galliumdoping i kiselkristaller och på användning av galliumdopade kristallina kiselskivor av p-typ vid produktion av solceller (PV).
Det är allmänt känt att solceller som använder bor-dopade kiselskivor av p-typ lider av lättinducerad nedbrytning (LID). Detta inträffar under de allra första timmarna att de kristallina bor-dopade kiselsolcellerna exponeras för solen, vilket orsakar prestandaförlust och en allmän försämring av omvandlingseffektiviteten.
Detta lock är associerat med bildandet av bor-syrekomplexet, som fungerar som en skadlig defekt och minskar minoritetsbärardiffusionslängden. Även om mycket forskning har gått på karakterisering och begränsning av LID hittills, lider industriella solceller fortfarande av olika typer av ljusinducerade effektivitetsförluster.
Använd galliumdoping för att förhindra lock
Det finns dock ett industriellt alternativ till bor-dopat kisel - gallium-dopat kisel. Det anses vara immunt mot lock, särskilt när det används i PERC-celler.
I oktober 2019 tilldelades ett kinesiskt företag, JA Solar, immateriella rättigheter för sin egen galliumdopingteknik som används i solcellsproduktion (PV). JA Solar förklarade att dess patenterade teknik effektivt kan mildra LID-effekten på solcellsmoduler som är monterade med p-typ kiselskivor.
GG quot; Användning av Ga-dopade kiselskivor för solcellstillämpning resulterar definitivt i bättre prestanda för solceller och solcellsmoduler, liksom förbättring av deras långsiktiga tillförlitlighet, ”säger styrelseordförande och styrelse Jin Baofang.
Företaget har också flera patent på galliumdoping i kiselkristaller och på användning av galliumdopade kristallina kiselskivor av p-typ vid produktion av solceller.
Ga dopad kisel solskiva
Ga dopad kisel solskiva 210mm M12 G12
Ga dopad kisel solskiva 166mm M6
Ga-dopad kisel solskiva 161,7 mm M4
Ga-dopad kisel solskiva 158,75 mm G1 full kvadrat
Ga dopad kisel solskiva 156,75 mm M2
